特点
 低集电极／发射极饱和电压
     VCE(sat) = 1.7 V 典型值 (IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
 单一封装内置快速恢复二极管
 沟槽栅与薄晶圆技术
 快速开关时间